佳能最近 推出了 纳米压印光刻(NIL)工具,可用于在5纳米级工艺技术上制造芯片,并和ASML的极紫外(EUV)光刻工具竞争。据彭博社报道,显然,佳能希望将其工具定价仅为 ASML EUV 光刻机的一小部分,这可以使没有大量资源的小型芯片制造商民主化获取先进芯片生产 。
“价格将比 ASML 的 EUV [光刻工具]低一位数,”佳能首席执行官 Fujio Mitarai 在接受彭博社采访时表示。“我并不认为纳米压印技术会超越 EUV,但我相信这将创造新的机会与需求。大家已经收到了许多客户的询问。”
如今数值孔径为 0.33 的 EUV 系统成本超过 1.5 亿美元。佳能表示,其 NIL 光刻机的成本约为 1500 万美元,这将为小型企业在先进生产节点上制造芯片打开大门。不过,最终定价尚未确定,就连佳能自己也不相信纳米压印光刻技术会取代传统的 EUV 与 DUV 扫描仪。
传统的深紫外 (DUV) 与极紫外 (EUV) 光刻系统运用特殊的光掩模将电路图案投影到抗蚀剂层晶圆上。相比之下,纳米压印光刻 (NIL) 运用已根据电路设计进行图案化的掩模(或更确切地说是模具),然后将其直接压印到晶圆上的抗蚀剂上。这种冲压方式不需要光学系统来转移图案,这可以使复杂的电路设计从模具到晶圆的复制更加精确。理论上,NIL 可以一步创建复杂的二维或三维电路图案,也有也许降低生产成本。但有壹个问题。虽然光刻允许一次处理整个晶圆(尽管需要多个流程),但 NIL 是壹个串行过程,并且也许会更慢。